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[图文]调频发射器制作要点         ★★★ 【字体:
调频发射器制作要点
作者:imefan    文章来源:徐黎明    点击数:    更新时间:2011-1-3    

  50MHz~150MHz频率范围的调频发射器具有天线简易、调制方便、辐射性能好和效率高等优点。而87MHz~108MHz的调频广播波段可利用现成的收音机作接收机,因而此波段发射器的制作尤其受到爱好者的青睐。
  笔者在诸多电子刊物上经常看到关于此类发射器制作的文章,有的很好,也有存在某些问题的。笔者想就专业知识和实际制作体会,谈一下本人对调频发射器制作中某些要点与误区的看法。

(一)高频振荡器
  振荡器的主要指标是输出波形失真度与频率稳定度。对于后者,晶体振荡器是最好的,但业余应用中有其缺点,一是频点固定且不易购买;二是直接调制时频偏太小,因而不得不多次倍频,使电路复杂且波形变坏,影响发射器的效果。其实一般采用电容三点式或克拉泼振荡电路完全能够胜任,频率稳定度与波形失真已能满足要求。
  电容三点式电路(见图1)的正反馈量由C1、C2决定,而C1、C2并联在三极管的结电容上,能减小结电容变化对频率的影响,微调L可在较大范围内改变频率。
  克拉泼振荡电路L见图2)的频率更稳定,但正反馈量变小,当改变频率时.容易在频率高端停振,故改变C3或L只能在较小的范围内改变振荡频率,该电路宜采用fT较高的振荡管以利于起振。
  提高振荡器频稳度和改善输出波形的方法有:晶体管结电容要小,fT要高.供电要稳压.使用低损耗的高频电容,与外界要弱耦合,另外,在保证起振的条件下,工作点可选得低一些,有利于改善波形。
 

 (二)频率调制器
  要求失真小,灵敏度高。常见的调频方法有直接调制三极管结电容和变容二极管调频。直接调制结电容电路虽简单.但频偏较小且伴有较大的寄生调幅。由调幅原理可知,调幅波的边频极靠近载频(仅差一个音频),发射器后级的LC选频电路不易将其滤除,因而使发时频谱变坏,影响后级电路制作并干扰接收。因此.笔者建议使用变容二极管调制。

(三)缓冲级、推动级
  要求功率增益大,前后隔离度好。功率增益大一些,可使后级功放容易实现,而从前级吸收的高频功率也可少一点,这样有利于减小振荡器的外耦合,提高频稳度。因此,缓冲、推动电路应尽量采用功率增益高的共发射极甲类放大电路。由于其输入阻抗较小,应该部分接入前级或减小耦合电容以达到阻抗匹配。本级要选用fT高,高频功率增益大的晶体管,静态工作电流可稍大些(一般取3mA~5mA),以减小晶体管的频率非线性失真和提高本级功率增益。

(四)倍频器   
  出于频率稳定度的考虑或使用晶体振荡器,发射器往往需要倍频级.也就多了一个倍频效率和频谱纯度的问题。提高倍频效率可使用丙类放大器(如导通角在40°左右时三倍频效率最高)。但丙类放大器的大量谐波要在倍频后很好地抑制,否则将干扰末级功放的调试与正常工作。

(五)高频功率放大器
  可选用甲、乙、丙类功放电路。
  甲类功放的高频功率增益最大且输出频谱纯净但效率太低。乙、丙类功放效率高一些,但功率增益较甲类小而且调试、匹配较困难。丙类功放的例子见图3(a)、(b)、Rb的取值可选晶体管输入阻抗的2~7倍。Rb取值太大将使be结负偏压太大而使输出功率变小,反之则效率变低且输出功率也因为Rb分流激励功率而降低。解决办法是Rb取小一点,并在Rb上串联一个uH级电感,或直接用高频扼流电感代替Rb使功放处于乙类零偏状态。
 
  功放级容易出现的误区是盲目选用丙类射频功放。由于丙类功放确实具有转换效率高的优点,故在高频功率管管耗(Pcm)一定或电源消耗一定的条件下能够输出比甲、乙类功放更大的高频功率,因而在移动电台或大功率电台的发射器上被广泛采用(主要出于省电考虑)。这致使一些制作者形成了射频功放即丙类功放的错误概念。在他们设计制作的发射器上,即使是几十毫瓦的高频输出,也一概选用丙类功放,还有的竟用丙类功放作射频振荡器的缓冲级(若是倍频级另当别论)!要知道剧烈变化的丙类放大器输入阻抗会对振荡器的频率稳度产生极大的负面影响。实际上,丙类功放要实现高频率,大功率输出,条件还是比较苛刻的。首先需要工作在临界或略过压状态

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